学问星球里的学员问：用ICP-RIE刻蚀战斗孔工艺中中，侧壁的角度与射频功率关联大不大？如何通过周折功率来周折侧壁角度？

如上图，侧壁角度是侧壁联系于衬底的歪斜角度，是预计刻蚀质料的垂死谋略之一。理思的侧壁角度接近90°，垂直于衬底，然则大多量情况下的侧壁角度是歪斜的，即锥形。

垂直或歪斜的刻蚀角度均有其行使的场景，垂直角度更合乎高密度互连的条款，不错幸免锥形角度带来的空间花消。而锥形角度不错使填孔工艺大大裁汰。

如上图，改换上位机电源的功率，不错改换等离子体的密度；改换偏置电源的功率不错改换正离子轰击晶圆的能量。增大ICP-source的电源时，等离子体浓度会增大；增大偏置电源的功率时等离子体中的正离子受到的眩惑力增大，正离子具有更大的动能轰击晶圆名义。

当ICP-source：RF source的功率比值飞腾时，侧壁的角度着落，比如从89°着落到85度，即侧壁更歪斜了。

原因是当ICP-source：RF source的功率比值飞腾时，等离子体浓度加多的愈加赫然，即化学作用的比值飞腾，侧壁角度着落。当ICP-source：RF source的功率比值着落时，正离子的动能加多赫然，物理轰击的比值飞腾，侧壁角度愈加陡直。

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